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英伟达发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升3倍,HBM4显存登场

IT之家10月29日消息,在华盛顿举行的GTC2025大会上,英伟达CEO黄仁勋首次公开展示了其下一代VeraRubin超级芯片(Superchip)。

其主板整合了一颗VeraCPU与两颗巨大的RubinGPU,并配备了最多32个LPDDR内存插槽,同时GPU上还将采用HBM4高带宽显存

黄仁勋表示,RubinGPU已经回到实验室进行测试,这是由台积电代工生产的首批样品。每颗GPU拥有8个HBM4接口及两颗与光罩大小相同的GPU核心芯片(Reticle-sizeddies)。此外,VeraCPU搭载88个定制Arm架构核心,最高可支持176线程

按照英伟达的规划,RubinGPU有望在2026年第三或第四季度进入量产阶段,时间大致与现有的BlackwellUltra“GB300”Superchip平台全面量产相当或更早。

英伟达的VeraRubinNVL144平台将采用两颗新芯片组合,其中RubinGPU由两颗Reticle尺寸的核心组成,具备50PFLOPS(FP4精度)的算力,并配备288GBHBM4显存。配套的VeraCPU提供88个定制Arm核心、176线程,NVLINK-C2C互联带宽可达1.8TB/s

性能方面,VeraRubinNVL144平台可实现3.6Exaflops(FP4推理)1.2Exaflops(FP8训练)的算力,相较GB300NVL72提升约3.3倍;系统总显存带宽达13TB/s,快速存储容量为75TB,分别比上一代提升60%,并具备双倍NVLINK与CX9通信能力,最高速率分别为260TB/s28.8TB/s

英伟达还计划在2027年下半年推出更高端的RubinUltraNVL576平台。该系统将NVL规模从144扩展至576,CPU架构保持不变,而GPU将升级为四颗Reticle尺寸核心,性能最高达100PFLOPS(FP4),并搭载1TBHBM4e显存(IT之家注:分布于16个显存接口)。

性能方面,RubinUltraNVL576平台可实现15Exaflops(FP4推理)5Exaflops(FP8训练)算力,相较GB300NVL72提升14倍;其HBM4显存带宽达到4.6PB/s,快速存储容量达365TB,分别为上一代的8倍,NVLINK与CX9通信能力则提升至12倍与8倍,最高速率分别达到1.5PB/s115.2TB/s

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