中国成功突破芯片制造技术壁垒。

全球芯片制造行业正面临重大变革。长期以来，EUV光刻机被视为生产先进芯片的唯一路径，但高昂的成本和技术垄断让许多企业望而却步。荷兰ASML公司占据全球90%以上的高端光刻机市场，单台设备价格动辄上亿美元，台积电、三星等巨头不得不斥巨资采购，否则将面临技术落后的风险。

然而，中国科研团队另辟蹊径，成功突破传统芯片制造的局限。复旦大学团队近日研发出全球首款基于二维半导体材料的32位RISCV架构微处理器"无极"。该芯片采用二硫化钼作为核心材料，通过化学气相沉积技术在12英寸晶圆上实现单层材料的均匀生长。

尽管实验设备条件有限，但团队凭借AI驱动的工艺优化技术，攻克了二维材料在接触、栅介质及后道工艺中的关键难题。"无极"芯片的制造工艺中，70%沿用现有硅基产线技术，剩余30%则采用团队自主研发的二维半导体专用工艺体系，并已申请20余项专利。

这一突破意味着中国有望摆脱对EUV光刻机的依赖，在芯片制造领域开辟全新路径，为全球半导体产业带来颠覆性变革。