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内存颗粒天梯图最新版(内存颗粒的小秘密)

说起内存,对于普通人来说可能并没有什么好谈的,它虽然是电脑中不可或缺的硬件,但只要容量够大,对游戏和日常使用体验的影响感知不强,但对于DIY玩家来说,刷新内存频率的新高同时收窄时序是他们一直追求的事情,虽然3600MHz可能就比2400MHz的内存玩游戏高那么几帧,但是这数字看着就很舒服。

  决定内存超频主要的因素有三个,其一搭配CPU的IMC(内存控制器),这个主要跟IMC设计有关,而且它也和CPU体质一样 ,同型号每一颗处理器的IMC都会有体质上的差异;其次就是主板和主板BIOS,这就看主板厂商的调教了;最后就是取决于内存的颗粒,今天小编就来带大家认识一下主流的内存颗粒,也方便大家买到便宜好用还能超频的内存。

内存颗粒之间有何区别?

  为什么内存颗粒之间会有体质区别?首先生产内存颗粒的厂商就有很多家,这个应该很多DIY玩家都知道了,这里简单罗列一下,目前消费市场90%的内存颗粒都是由镁光、海力士、三星这三大家来自美韩的巨头生产,除此以外还有南亚、华邦和力晶等台湾厂商也会生产,不过后面这几家厂商现在主要生产服务器内存的颗粒,消费市场就相对少一点。

国产紫光DDR3内存颗粒

  内存颗粒就是DRAM芯片,每家厂商技术研发实力不同,芯片设计不同,采用的制造工艺也不同,生产出来的芯片质量自然也会有差别。

  即使是同一家厂商生产的内存颗粒,也是会迭代发展的,比如海力士第一代DDR4内存颗粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR结尾的颗粒,民间称之为MFR颗粒,这些颗粒能稳定运行在2666MHz或者2400MHz的频率下,但是超频潜力几乎没有,狂加电压也无法成功,随后海力士就推出了以AFR结尾的颗粒,这代颗粒明显改善了超频性能,加压即可超频,频率显著提升,现在又迭代发展到第三代的CJR颗粒。

目前主流的内存颗粒有哪些?

  那么目前主流的内存颗粒有哪些呢?我们就分厂商来说吧。


海力士

  举例时用了海力士,我们就先谈海力士的颗粒。刚刚也说了海力士第一代主推的DDR4内存颗粒为MFR颗粒(也称海力士 M-die),25nm制程,MFR颗粒稳定耐用,但是超频能力几乎没有,现在还多见于低频的DDR4内存中。

  但是对比友商三星在颗粒上极好的超频体质,海力士处于了下风,为了改善这一情况,2015年年末开始,海力士就推出了H5AN8G6NAFR(8Gb)、H5AN8G8NAFR(8Gb)、H5AN4G8NAFR(4Gb)和H5AN4G6NAFR(4Gb)三种颗粒,宣告了AFR颗粒(也称为海力士A-die)的到来。通常使用21nm制程的AFR颗粒相比MFR有更好的超频能力,只要加电压频率上3200MHz并不难,但是体质并不算好,高频下时序也很一般。

  为了对标友商三星在高频内存的优势,海力士潜心研发了数年,终于推出了近两年大火的CJR颗粒。

  海力士CJR颗粒是SK海力士Hynix C-die颗粒,是继MFR、AFR之后的第三代8Gbit颗粒,采用1X nm(通常为18nm)制程,由于型号“H5AN8G4NCJR”等后缀为CJR的颗粒,所以也称CJR颗粒。CJR颗粒体质好,更重要的是对近年来大火的锐龙平台兼容性非常好,上3600MHz轻轻松松,因此成了DIY玩家,特别是AMD平台玩家的宠儿。

  除此以外海力士还推出了更新一代的JJR(J-die)颗粒,但这个颗粒是为了取代此前的MFR和AFR颗粒,超频体质稍微不如CJR颗粒。

  简单总结一下,目前市场主流的海力士颗粒中,以体质排序CJR>JJR>AFR>MFR,当然不排除有个别体质好的特例能以下犯上。


三星

  三星内存颗粒早在DDR3时代就非常能超,在DIY圈建立了口碑,DDR4时代亦是如此,这里就不得不提到三星B-die这个颗粒了。

  三星B-die是DDR4时代的超频传奇,大部分为20nm制程,无数内存超频记录都是由他完成,是DIY玩家心中的极品颗粒,三星B-die对AMD和Intel兼容性都很好,在Intel平台达到4000MHz以上频率更是基本操作,时序还很低,深受玩家喜爱。

  不过我们常说的B-die颗粒,其实是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后缀系列中的BCBP颗粒,这些颗粒是被特挑出来专门做旗舰内存的,所以更准确地说体质好的应该叫特挑B-die

  剩下的普通B-die 体质虽然也很不错,但是不具备有挑战超频记录的实力,还有一种边角料的B-die ,这些就是体质最差的B-die了。

影驰HOF OC Lab 就是使用三星B-die

  不过遗憾的是三星上年宣布停产B-die颗粒,一代传奇就此落幕,现在市面上已经越来越难买到三星B-die颗粒的内存了,有也是之前内存厂商屯起来用于制造旗舰产品,价格昂贵。

  接替B-die颗粒的是三星A-die和M-die,新的颗粒提升了密度,单颗容量更大,让成本降低,方便制造单条32GB或更大的内存,而根据三星所说A-die超能能力与B-die一致甚至更好,容量更大,M-die则次一点。但是这么好的颗粒三星主要用于专业市场和服务器市场,消费市场还没排到,可能等产能上去了我们普通消费者才能接触到了。

  除此以外目前市场上的三星颗粒还有C-die和E-die,这些体质就相对一般了。

  总结来说,就讨论目前大家能买到的三星内存颗粒体质,特挑B-die>普通B-die>边角料B-die>C-die≈E-die,而A-die和M-die因为市面没买到也没实测,就不说了。


镁光

  此前镁光颗粒在DIY圈子中存在感还是比较低的,一般稳定耐用,但是超频性能没有三星那么夺目。

  镁光B-die是比较早期的DDR4颗粒,也是镁光出货量很大的颗粒,这类颗粒稳定耐用,但是别想着能怎么超频了,买到了默认用就好。

  除此以外镁光还有一家子公司Spectek专门处理镁光检测中不合格的降级颗粒,这些降级内存颗粒会打上Spectek的大S标志,被称为大S颗粒。大S颗粒都是镁光的降级片,但也有好有坏,举个例子,镁光生产3200MHz频率的内存颗粒,把达不到要求的给Spectek降级成2400MHz标准处理售卖,那你不能说这些颗粒达不到3200MHz要求就是垃圾颗粒;但也有些大S颗粒是低端内存筛选标准筛选下来的,良率特低,这些就是垃圾颗粒了。

大S颗粒标志

  因此大S颗粒鱼龙混杂,也是很多山寨内存条喜欢用的内存颗粒,不是专业能熟读颗粒型号的DIY玩家还是避开比较好。

  当然,随着时间推移,镁光也和海力士一样奋发图强,推出了一批容易上高频关键价格还不贵的颗粒,它就是最近大火,以5726MHz的成绩打破DDR4内存超频记录的镁光E-die。

  镁光E-die是镁光17年末生产的颗粒,只是在三星B-die停产之前没什么人玩,直到19年才被神通广大的DIY玩家发掘出来。在超频玩家的手中镁光E-die超频到4000MHz难度不大,但电压要加得比较高,而且时序比较难收窄。虽然有一些瑕疵,但镁光E-die最近还是被热捧,因为目前镁光E-die主要用于英睿达的原厂内存上,价格最低的只要200多一条,非常实惠,堪称平民法拉利。

  镁光E-die的颗粒不同型号也会有体质上的差异,目前民间实践过最好的是C9BJZ,其次是D9VPP,其他则与普通B-die没有明显差距。

  如果给镁光的颗粒体质排一个顺序,大概就是E-die C9BJZ>E-die D9VPP>其他E-die>B-die>大S。


  看完各家小结,大家应该都能看懂哪些颗粒比较好了,但是要是三家汇总起来应该怎么排序呢?不慌,这里小编就简单总结了一个简易的内存颗粒天梯表给大家参考,有需要的小伙伴也可以保存下来。

那么内存颗粒怎么看呢?

  一般情况下内存颗粒表面就有它的编号了,但是现在的内存基本都有马甲,对于一般消费者来说拆开马甲看颗粒并不现实。

  此时一个比较方便的方法就通过软件Thaiphoon Burner,这个软件能读取内存的各种信息,下面教一下大家如何使用。

  百度下载该软件后,直接打开,点击红框框的Read就能进入信息页面。

  我这条就是十铨生产的内存,使用的是Hynix海力士的颗粒,颗粒编号以CJR结尾,型号也写明了是C-die,很明显我这条内存使用的就是海力士的CJR颗粒了。

  以此类推,这条内存就是镁光的D9VPP E-die。

  这条内存就是三星特挑BCPB的B-die。

  不过台风也不完全准,是基于它的大数据估测的,但也八九不离十,大家想看的话记得更新软件到最新的版本会更为靠谱一些。

总结

  其实除了少部分发烧级DIY玩家以外,内存颗粒的体质对大部分人还是没什么影响的,一般人买了内存回去,开了XMP默认用也能很舒服,本篇文章也是面向极小众的DIY发烧级玩家。

  而对于这部分发烧友,小编最后还给一个选购的建议。三星的B-die已经停产,现在基本只存在与高价的旗舰内存中,不必过分强求,镁光的C9BJZ是一个很好的替代品,目前C9BJZ多用于镁光自家的英睿达内存中,某东平台上自营的英睿达铂胜3000MHz的马甲条就大概率是使用C9BJZ颗粒,目前这款内存也是卖到涨价断货了,喜欢折腾的玩家可以关注。

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