在IEDM2024大会上，台积电揭开了其2nm工艺的神秘面纱，详细介绍了关键技术细节和性能指标：与3nm工艺相比，晶体管密度提升15%，在相同功耗下性能提高15%，而在相同性能下功耗降低24-35%。这是台积电首次采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，这一技术有助于优化通道宽度，实现性能与能效的平衡。

新工艺还引入了NanoFlexDTCO，这是一种设计技术联合优化，能够开发出更矮、能效更优或更高性能的单元。台积电2nm工艺还集成了第三代偶极子，包括N型和P型，支持六个电压阈值档(6-Vt)，范围在200mV。这些改进使得N型和P型纳米片晶体管的I/CV速度分别提升了70%和110%。

相较于传统的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管在0.5-0.6V的低电压下能效显著提升，频率可提高约20%，待机功耗降低约75%。SRAM密度也创下了新高，达到每平方毫米约38Mb。台积电2nm工艺还采用了全新的MOL中段工艺和BEOL后段工艺，电阻降低20%，进一步提高了能效。